RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Comparar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
870.4
8.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
87
Por volta de -164% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
9.6
3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
87
33
Velocidade de leitura, GB/s
3,155.6
9.6
Velocidade de escrita, GB/s
870.4
8.6
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
417
2286
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link