RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Comparar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
870.4
12.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
87
Por volta de -149% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
5300
Por volta de 4.83 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
87
35
Velocidade de leitura, GB/s
3,155.6
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
870.4
12.1
Largura de banda de memória, mbps
5300
25600
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
417
3045
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
INTENSO 5641152 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Corsair CM2X2048-6400C5DHX 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link