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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Comparar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Pontuação geral
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
18
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
870.4
13.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
87
Por volta de -278% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
87
23
Velocidade de leitura, GB/s
3,155.6
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
870.4
13.1
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
417
3211
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
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Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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