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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Comparar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Pontuação geral
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
10.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
870.4
8.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
49
87
Por volta de -78% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
87
49
Velocidade de leitura, GB/s
3,155.6
10.9
Velocidade de escrita, GB/s
870.4
8.7
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
417
2427
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
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Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
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Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
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