RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Comparar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
870.4
11.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
87
Por volta de -156% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
87
34
Velocidade de leitura, GB/s
3,155.6
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
870.4
11.9
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
417
2803
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB Comparações de RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kllisre 0000 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link