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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Comparar
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
19.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
53
Por volta de -56% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.6
1,590.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
53
34
Velocidade de leitura, GB/s
3,726.4
19.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,590.1
12.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
522
3178
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparações de RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
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