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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Comparar
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Pontuação geral
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
17
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
53
Por volta de -51% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.5
1,590.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
53
35
Velocidade de leitura, GB/s
3,726.4
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,590.1
11.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
522
2699
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparações de RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
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