RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Comparar
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
17.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
53
Por volta de -77% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.0
1,590.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
53
30
Velocidade de leitura, GB/s
3,726.4
17.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,590.1
14.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
522
2834
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparações de RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link