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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Comparar
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
18
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
53
Por volta de -96% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.3
1,590.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
53
27
Velocidade de leitura, GB/s
3,726.4
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,590.1
14.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
522
3288
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparações de RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
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