RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Comparar
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
19.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
53
Por volta de -130% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.8
1,590.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
53
23
Velocidade de leitura, GB/s
3,726.4
19.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,590.1
15.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
522
3964
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparações de RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link