RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Comparar
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
17.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
53
Por volta de -77% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.0
1,590.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
53
30
Velocidade de leitura, GB/s
3,726.4
17.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,590.1
13.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
522
3014
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparações de RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Relatar um erro
×
Bug description
Source link