RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Comparar
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
24.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
53
Por volta de -130% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
19.7
1,590.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
53
23
Velocidade de leitura, GB/s
3,726.4
24.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,590.1
19.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
522
4300
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparações de RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9G 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link