RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Comparar
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
14.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
53
Por volta de -56% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.5
1,590.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
53
34
Velocidade de leitura, GB/s
3,726.4
14.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,590.1
11.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
522
2588
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparações de RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link