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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Comparar
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
19
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
53
Por volta de -152% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.4
1,590.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
53
21
Velocidade de leitura, GB/s
3,726.4
19.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,590.1
14.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
522
3216
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparações de RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
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