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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Comparar
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Pontuação geral
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
19
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
20
53
Por volta de -165% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.1
1,590.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
53
20
Velocidade de leitura, GB/s
3,726.4
19.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,590.1
15.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
522
3410
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparações de RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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