RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Inmos + 256MB
Comparar
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Inmos + 256MB
Pontuação geral
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Pontuação geral
Inmos + 256MB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
11.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Inmos + 256MB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
53
Por volta de -77% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.1
1,590.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
16800
6400
Por volta de 2.63 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Inmos + 256MB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
53
30
Velocidade de leitura, GB/s
3,726.4
11.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,590.1
9.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
16800
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
no data
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
522
2318
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparações de RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Inmos + 256MB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link