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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Comparar
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Pontuação geral
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
14.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
48
53
Por volta de -10% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.5
1,590.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
53
48
Velocidade de leitura, GB/s
3,726.4
14.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,590.1
11.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
522
2220
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparações de RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
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