RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Comparar
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Pontuação geral
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
17.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
53
Por volta de -51% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.1
1,590.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
6400
Por volta de 4 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
53
35
Velocidade de leitura, GB/s
3,726.4
17.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,590.1
12.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
25600
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
522
3221
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparações de RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link