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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB

Pontuação geral
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Pontuação geral
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Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB

Diferenças Especificações Comentários

Diferenças

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Razões a considerar
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Relatar um erro
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    3 left arrow 10.6
    Valor médio nos testes
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB Razões a considerar
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Relatar um erro
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    50 left arrow 53
    Por volta de -6% menor latência
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    8.8 left arrow 1,590.1
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    17000 left arrow 6400
    Por volta de 2.66 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    53 left arrow 50
  • Velocidade de leitura, GB/s
    3,726.4 left arrow 10.6
  • Velocidade de escrita, GB/s
    1,590.1 left arrow 8.8
  • Largura de banda de memória, mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • Descrição
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    522 left arrow 2393

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparações de RAM

Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB

Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB Comparações de RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
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