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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Comparar
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Pontuação geral
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
14.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
53
Por volta de -43% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.9
1,590.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
53
37
Velocidade de leitura, GB/s
3,726.4
14.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,590.1
9.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
522
2422
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparações de RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
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