RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Comparar
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Pontuação geral
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
53
74
Por volta de 28% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
13.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.7
1,590.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
53
74
Velocidade de leitura, GB/s
3,726.4
13.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,590.1
7.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
522
1616
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparações de RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link