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TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
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TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Pontuação geral
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
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Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
34
Por volta de -31% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.9
13.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.6
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
34
26
Velocidade de leitura, GB/s
13.1
18.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
16.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2393
3866
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
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