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TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Comparar
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB vs Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Pontuação geral
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
Pontuação geral
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
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Razões a considerar
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
34
Por volta de -31% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.3
13.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.2
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
34
26
Velocidade de leitura, GB/s
13.1
14.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
11.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2393
2912
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Lenovo 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
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