Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB

Pontuação geral
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Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB

Pontuação geral
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Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    26 left arrow 77
    Por volta de 66% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    14.1 left arrow 13.1
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    9.5 left arrow 5.5
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    19200 left arrow 12800
    Por volta de 1.5 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    26 left arrow 77
  • Velocidade de leitura, GB/s
    14.1 left arrow 13.1
  • Velocidade de escrita, GB/s
    9.5 left arrow 5.5
  • Largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Descrição
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tempos / Velocidade do relógio
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2354 left arrow 1440
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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