RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Comparar
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Pontuação geral
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
27
Por volta de 4% menor latência
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
14.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.3
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
27
Velocidade de leitura, GB/s
14.1
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
11.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2354
2687
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB Comparações de RAM
Kingston KF556C40-16 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link