RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Comparar
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Pontuação geral
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
30
Por volta de 13% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.1
11.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.5
7.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
30
Velocidade de leitura, GB/s
14.1
11.2
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
7.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2354
2266
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB Comparações de RAM
Kingston KF556C40-16 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link