Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB

Pontuação geral
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Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB

Pontuação geral
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Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    26 left arrow 27
    Por volta de 4% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    15 left arrow 14.1
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    10.9 left arrow 9.5
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    19200 left arrow 12800
    Por volta de 1.5 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    26 left arrow 27
  • Velocidade de leitura, GB/s
    14.1 left arrow 15.0
  • Velocidade de escrita, GB/s
    9.5 left arrow 10.9
  • Largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Descrição
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Tempos / Velocidade do relógio
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2354 left arrow 2288
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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