RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Comparar
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Pontuação geral
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
44
Por volta de -91% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17
10.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.9
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
23
Velocidade de leitura, GB/s
10.9
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
12.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1853
2938
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB Comparações de RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB Comparações de RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link