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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
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Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
44
Por volta de -52% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.5
10.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.2
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
29
Velocidade de leitura, GB/s
10.9
13.5
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
10.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1853
2088
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB Comparações de RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB Comparações de RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
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