RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Comparar
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
39
Por volta de 36% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.2
12.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.7
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
39
Velocidade de leitura, GB/s
12.6
13.2
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
10.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2051
2651
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB Comparações de RAM
Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
Kingston KHX1866C10S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kllisre 0000 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Relatar um erro
×
Bug description
Source link