RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Comparar
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
29
Por volta de 14% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.3
12.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.0
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
29
Velocidade de leitura, GB/s
12.6
19.3
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
16.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2051
3687
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB Comparações de RAM
Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
Kingston KHX1866C10S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link