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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
27
Por volta de 7% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.5
12.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.6
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
27
Velocidade de leitura, GB/s
12.6
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
13.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2051
2892
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB Comparações de RAM
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
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