RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Comparar
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
35
Por volta de 29% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.7
12.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.1
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
35
Velocidade de leitura, GB/s
12.6
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
12.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2051
3045
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB Comparações de RAM
Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
Kingston KHX1866C10S3L/8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link