Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB

Pontuação geral
star star star star star
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Pontuação geral
star star star star star
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB

Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    25 left arrow 65
    Por volta de 62% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    12.6 left arrow 8.5
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    7.2 left arrow 5.8
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    21300 left arrow 10600
    Por volta de 2.01 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    25 left arrow 65
  • Velocidade de leitura, GB/s
    12.6 left arrow 8.5
  • Velocidade de escrita, GB/s
    7.2 left arrow 5.8
  • Largura de banda de memória, mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • Descrição
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Tempos / Velocidade do relógio
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2051 left arrow 1981
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparações