RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Сравнить
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
66
Около -106% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.4
13.2
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
32
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
16.8
Скорость записи, Гб/сек
13.2
15.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2429
3579
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link