RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Сравнить
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB против G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
28
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19
12.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.2
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
28
Скорость чтения, Гб/сек
12.2
19.0
Скорость записи, Гб/сек
8.5
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1677
3651
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB Сравнения RAM
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Kingmax Semiconductor KSDD48F-B8KW5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link