RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Сравнить
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
28
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.3
12.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.4
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
28
Скорость чтения, Гб/сек
12.2
14.3
Скорость записи, Гб/сек
8.5
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1677
2481
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB Сравнения RAM
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link