RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Сравнить
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB против Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
40
Около -38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.1
11.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.0
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
29
Скорость чтения, Гб/сек
11.3
17.1
Скорость записи, Гб/сек
7.5
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1654
3384
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link