A-DATA Technology AM1L16BC4R1-B1MS 4GB против Kingston KM0VW4-MID 8GB

-->

Средняя оценка

A-DATA Technology AM1L16BC4R1-B1MS 4GB

A-DATA Technology AM1L16BC4R1-B1MS 4GB

Средняя оценка

Kingston KM0VW4-MID 8GB

Kingston KM0VW4-MID 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

A-DATA Technology AM1L16BC4R1-B1MS 4GB

Причины выбрать
A-DATA Technology AM1L16BC4R1-B1MS 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

30 38

Около 21% меньшая задержка

Kingston KM0VW4-MID 8GB

Причины выбрать
Kingston KM0VW4-MID 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

14.7 8.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

10.6 4.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

A-DATA Technology AM1L16BC4R1-B1MS 4GB

Kingston KM0VW4-MID 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

30 38
Скорость чтения, Гб/сек

8.8 14.7
Скорость записи, Гб/сек

4.3 10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1157 2493

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB

Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB

Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB

модули RAM

A-DATA Technology AM1L16BC4R1-B1MS 4GB

A-DATA Technology AM1L16BC4R1-B1MS 4GB

Kingston KM0VW4-MID 8GB

Kingston KM0VW4-MID 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB

Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB

модули RAM

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB

EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB

модули RAM

Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB

Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB

Kingston 9965669-027.A00G 16GB

Kingston 9965669-027.A00G 16GB

модули RAM

Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB

Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB

EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB

EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB

Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB

модули RAM

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB

A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB

модули RAM

AMD AE34G2139U2 4GB

AMD AE34G2139U2 4GB

SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB

SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB

модули RAM

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB

Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB

модули RAM