RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Сравнить
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.6
11.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.5
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
27
Скорость чтения, Гб/сек
11.2
14.6
Скорость записи, Гб/сек
8.4
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1967
2409
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB Сравнения RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link