A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB против Kingston 99U5403-185.A00LF 8GB

-->

Средняя оценка

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

Средняя оценка

Kingston 99U5403-185.A00LF 8GB

Kingston 99U5403-185.A00LF 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

Причины выбрать
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

27 77

Около 65% меньшая задержка
Выше скорость чтения

13.4 5.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

7.8 2.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

12800 10600

Около 1.21% выше полоса пропускания

Kingston 99U5403-185.A00LF 8GB

Причины выбрать
Kingston 99U5403-185.A00LF 8GB

Сообщить об ошибке

Спецификации

Полный список технических характеристик

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

Kingston 99U5403-185.A00LF 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR3
Задержка в PassMark, нс

27 77
Скорость чтения, Гб/сек

13.4 5.7
Скорость записи, Гб/сек

7.8 2.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 10600

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2181 968

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB

Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB

модули RAM

Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB

Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB

Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB

Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C

Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB

Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB

модули RAM

Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB

Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB

Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB

Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB

модули RAM

Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB

Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB

Kingston KHX1600C9D3/2G 2GB

Kingston KHX1600C9D3/2G 2GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB

модули RAM

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB

Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Kingston 9905630-048.A00G 16GB

Kingston 9905630-048.A00G 16GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB

Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB

модули RAM

Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB

Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB

Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB

Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB

Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB

модули RAM