A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB против Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB

-->

Средняя оценка

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB

Средняя оценка

Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB

Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB

Причины выбрать
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 39

Около 33% меньшая задержка
Выше скорость чтения

9.8 8.9

Среднее значение в тестах

Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB

Причины выбрать
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

6.8 4.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB

Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

26 39
Скорость чтения, Гб/сек

9.8 8.9
Скорость записи, Гб/сек

4.6 6.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1560 2011

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB

Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB

модули RAM

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Kingston 9905630-007.A00G 8GB

Kingston 9905630-007.A00G 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB

Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB

Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A

G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB

Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB

InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB

модули RAM

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB

G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB

модули RAM

Elpida 99U5458-005.A00LF 4GB

Elpida 99U5458-005.A00LF 4GB

SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

A-DATA Technology DDR4 3200 8GB

A-DATA Technology DDR4 3200 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB

A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB

модули RAM