RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Сравнить
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB против G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
31
Около 16% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.1
14
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.4
9.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
31
Скорость чтения, Гб/сек
14.0
20.1
Скорость записи, Гб/сек
9.1
16.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2330
3823
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Сравнения RAM
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link