RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Сравнить
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB против Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
71
Около 63% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.1
7.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.8
14
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
71
Скорость чтения, Гб/сек
14.0
15.8
Скорость записи, Гб/сек
9.1
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2330
1757
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Сравнения RAM
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link