RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Сравнить
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.1
8.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
26
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.8
14
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
25
Скорость чтения, Гб/сек
14.0
14.8
Скорость записи, Гб/сек
9.1
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2330
2542
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Сравнения RAM
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link