RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Сравнить
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB против Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
38
Около 32% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.3
14
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.5
9.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
38
Скорость чтения, Гб/сек
14.0
15.3
Скорость записи, Гб/сек
9.1
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2330
2346
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Сравнения RAM
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Samsung M471B5773EB0-CK0 2GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
AMD R334G1339U2S 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
AMD R748G2606U2S 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link