A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB против Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB

-->

Средняя оценка

A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB

A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB

Средняя оценка

Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB

Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB

Причины выбрать
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB

Сообщить об ошибке

Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB

Причины выбрать
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

35 40

Около -14% меньшая задержка
Выше скорость чтения

15 13.6

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.0 7.8

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB

Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

40 35
Скорость чтения, Гб/сек

13.6 15.0
Скорость записи, Гб/сек

7.8 12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2097 2654

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB

A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB

Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB

Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB

модули RAM

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB

Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

модули RAM

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB

модули RAM

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB

Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB

модули RAM

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB

Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB

A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB

Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB

модули RAM

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB

Kingston 9905678-042.A00G 8GB

Kingston 9905678-042.A00G 8GB

модули RAM

Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB

Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB

A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB

A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB

модули RAM

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB

G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB

Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB

модули RAM