RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Сравнить
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB против Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Средняя оценка
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
34
Около 38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.8
16.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.0
10.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
21
34
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
16.2
Скорость записи, Гб/сек
10.0
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2771
2938
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3 1600G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kllisre 0000 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link