RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Сравнить
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB против Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
47
Около 55% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.8
14
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.0
8.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
21
47
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
14.0
Скорость записи, Гб/сек
10.0
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2771
2640
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3 1600G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link