RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Сравнить
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
22
Около 5% меньшая задержка
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.2
17.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.6
10.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
21
22
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
18.2
Скорость записи, Гб/сек
10.0
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2771
3515
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3 1600G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Inmos + 256MB
Kingston 99U5471-034.A00LF 4GB
Unifosa Corporation HU564403EP0200 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link